onsemi Transistor 1 100 V dc 25 A PnP HFE:15, SOT-93 3-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 15
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5V dc
- Gehäusegröße
- SOT-93
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 100V dc
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 100V dc
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.8V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 125W
Produktbeschreibung
Der bipolare Leistungstransistor wurde für allgemeine Leistungsverstärker- und Schaltanwendungen entwickelt. TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN), TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) sind ergänzende Geräte.25 A Kollektorstrom Niedriger Leckstrom ICEO = 1,0 mA bei 30 und 60 V Ausgezeichnete DC-Verstärkung hFE = 40 typ. @ 15 A Produkt mit hoher Stromverstärkung - Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059045224617