onsemi, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 114 A F1-2PACK
Technische Daten
- Dauer-Drainstrom max.
- 114 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Gehäusegröße
- F1-2PACK
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 114 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = F1-2PACK
Montage-Typ = THT
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
