onsemi SuperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

380mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.4V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

40nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

11A