onsemi Oberfläche Transistor PnP -60 V / -10 A, TO-252 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 5
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5V dc
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 70V dc
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -60V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -10A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 500kHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20W
Produktbeschreibung
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen konzipiert. Die Modelle MJD2955 (PNP) und MJD3055 (NPN) sind ergänzende Geräte.Kabel für Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen (kein Suffix) Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen (″-1″ Suffix) Ausführung mit Vorband, lieferbar in 16-mm-Band und Rolle (Suffix ″T4″) Elektrisch ähnlich wie MjE2955 und MjE3055 DC-Stromverstärkung wählbar bis 10 Ampere Hochstrom-Bandbreite Produkt fT = 2,0 MHz (min.) bei IC = 500 mADC NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Dies sind PbFree Pakete
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045404446