onsemi Oberfläche Transistor PnP -300 V / -100 mA, TO-223 4-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

30

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V dc

Gehäusegröße

TO-223

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

350V dc

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-300V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

-100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

30MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.5W