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onsemi Oberfläche Transistor NPN 80 V dc / 8 A, TO-252 3-Pin

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NJVMJD44H11G

Produkt-Nr.: P-CDDKB3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
40
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
5V dc
Gehäusegröße
TO-252
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
10V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
80V dc
Kollektorstrom DC max. (Idc)
8A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
20MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
20W

Produktbeschreibung

Der Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Leistungs- und Schaltausgänge oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt.Kabel für Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen (ohne Suffix) Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen (″-1″ Suffix) Ausführung mit Vorband in 16-mm-Band und Rolle für Oberflächenmontage (Suffix ″T4″) Elektrisch ähnlich wie bei den gängigen Serien D44H/D45H Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,0 Volt Max. Bei 8,0 Ampere Hohe Schaltgeschwindigkeiten Komplementäre Paare Vereinfachen Designs NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Diese Geräte sind pbfrei

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059045752189