onsemi Oberfläche Transistor NPN 40 V / 600 mA, SOT-23 3-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 20
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 6V
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1.11mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 60V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 40V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 600mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 100MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 225mW
Produktbeschreibung
Der bipolare NPN-Transistor wurde für den Einsatz in linearen und Schaltanwendungen entwickelt. Das Gerät befindet sich im SOT-23-Gehäuse, das für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistung entwickelt wurde.Niedriger rDS(on) sorgt für höhere Effizienz und verlängert die Batterielebensdauer Miniatur-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platinenplatz Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045659198