onsemi Oberfläche Digitaler Transistor N-Kanal 2-Pin

Dieser N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET wird mit einer proprietären planaren Streifen- und DMOS-Technologie hergestellt. Diese Advanced MOSFET-Technologie wurde speziell auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Bereitstellung einer überlegenen Schaltleistung und einer hohen Lawinenenergie zugeschnitten. Diese Geräte eignen sich für Schaltnetzteile, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Vorschaltgeräte.5,4A, 900V, RDS(on) = 2,3Ω (Max.) @VGS = 10 V, ID = 2,7A Niedrige Gatterladung ( Typ. 31 nC) Niedrige Crss (Typ. 13 pF) Anwendungen Beleuchtung