onsemi NXH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 105 A 244 W, 34-Pin PIM34

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

16mΩ

Durchlassspannung (Vf)

6.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

284nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

PIM34

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

105A