onsemi NTE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 915 mA 300 mW, 3-Pin SC-89
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 950mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.82nC
- Gehäusegröße
- SC-89
- Höhe
- 0.8mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 915mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 915mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SC-89
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 950mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 1.82nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.8mm
Automobilstandard = AEC-Q101
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045339489