onsemi NTE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 915 mA 300 mW, 3-Pin SC-89

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

950mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.82nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

6 V

Gehäusegröße

SC-89

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

915mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C