onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

85mΩ

Durchlassspannung (Vf)

4.4V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

59nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22.6 V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

37A