onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 85mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 4.4V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 59nC
- Gehäusegröße
- HPSOF-8L
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 37A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 37A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = HPSOF-8L
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 85mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 59nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 9.9mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET