onsemi NSR01L30 Oberfläche Schottky-Barrier-Diode Schottky-Diode Einfach, 30 V / 100 mA, 2-Pin DSN0201
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Gehäusegröße
- DSN0201
- Gleichrichter-Typ
- Schottky-Diode
- Höhe
- 0.29mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- -400mV
- Maximaler Dauerdurchlassstrom (If)
- 100mA
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 4A
Produktbeschreibung
Die Schottky-Diode ist für einen niedrigen Durchlassspannungsabfall und einen niedrigen Leckstrom optimiert. Das DSN-2-Gehäuse (Dual Silicon No-lead) ist ein Chip-Level-Gehäuse mit lötbaren Metallkontakten unter dem Gehäuse, ähnlich wie DFN-Gehäuse. Das DSN-Gehäuse ermöglicht eine 100-prozentige Nutzung des Gehäusebereichs für aktives Silizium und bietet einen deutlichen Vorteil pro Platinenbereich im Vergleich zu Produkten in Kunststoffformgehäusen.Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung Niedriger Rückstrom Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit Sperrspannungs- und Überstromschutz Reduziert die Verlustleistung Anwendungen: LCD und Tastenfeldhinterleuchtung Kamera-Fotoblitz
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
- GTIN
- 5059045337393