onsemi NCP51705SMDGEVB Evaluierungsplatine, Evaluierungsplatine MOSFET, für NCP51705
Technische Daten
- Kit-Klassifizierung
- Entwicklungskit
- Kit-Name
- Evaluierungsplatine
- Leistungmanagement Funktion
- MOSFET
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Produkt Typ
- Evaluierungsplatine
- Vorgestelltes Gerät
- NCP51705SMDGEVB
- Zur Verwendung mit
- NCP51705
Produktbeschreibung
Der on Semiconductor EVB wurde auf einer vierschichtigen Leiterplatte entwickelt und umfasst den Treiber NCP51705 und alle erforderlichen Treiberschaltkreise. Der EVB umfasst außerdem einen integrierten digitalen Isolator und die ability zum Löten jedes MOSFET oder SiC MOSFET in einem TO-247-Hochspannungsgehäuse. Er kann in jeder Nieder- oder Hochspannungsseite verwendet werden.Durch die Bereitstellung eines hohen Peak Current bei Schaltverlusten sind auch Minimiert Unterspannungs-Abschaltungsüberwachung für die Vorspannungsversorgung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Entwicklungstools für Energie, Motor und Robotik