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onsemi N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: RFD14N05L

Produkt-Nr.: P-CC6S3M

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+175 °Cmm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
14 A
Drain-Source-Spannung max.
50 V
Drain-Source-Widerstand max.
100 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Gate-Source Spannung max.
-10 V, +10 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)

Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042601633