onsemi N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Name: onsemi N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: RFD14N05L

Produkt-Nr.: P-CC6S3M

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +175 °Cmm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 14 A
Drain-Source-Spannung max.: 50 V
Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V
Gehäusegröße: IPAK (TO-251)

Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

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