onsemi N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +175 °Cmm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 14 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 50 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 100 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1V
- Gate-Source Spannung max.
- -10 V, +10 V
- Gehäusegröße
- IPAK (TO-251)
Produktbeschreibung
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042601633