onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD SMD-Gehäuse 4-Pin

Mikrozellen mit hoher Dichte Die Sensoren der J-Serie verfügen über Terminal mit einzigartigem ″schnellen Ausgang″ von ON Semiconductor Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV Erhältlich in einem mit Reflow-Lötverfahren kompatiblen Chip-Scale-Gehäuse des TSV Extrem niedrige Dunkelzählraten von 50 kHz/mm2 (typisch) Optimiert für Hochleistungs-Zeitsteuerungsanwendungen, wie z. B. ToF-PET Sensorgrößen: 3 mm, 4 mm und 6 mm Vorspannung von< 30 V. Ergebnis: 50 % Photonenerkennungseffizienz (PDE) bei 420 nm Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit Macht eine aktive Spannungsregelung überflüssig Branchenführende Gleichmäßigkeit Das TSG-Gehäuse sorgt für nahezu null Totraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor. Es ist eisenmetallfrei Anwendungen Medizinische Bildgebung Gefahr und Gefahr 3D-Bereichswahl und -Erfassung Biophotonik und Wissenschaft Hochenergiephysik