onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 25V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 450mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.83V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.64nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 680mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042796834