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onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 145 W, 44-Pin Q13-TNPC N-Kanal

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NXH40T120L3Q1SG

Produkt-Nr.: P-CC3G3R

Technische Daten

Abmessungen
83 x 37.9 x 12.5mm
Betriebstemperatur min.
–40 °C
Channel-Typ
N
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
Q13-TNPC
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
44
Verlustleistung max.
145 W

Produktbeschreibung

Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 145 W
Gehäusegröße = Q13-TNPC
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 44
Abmessungen = 83 x 37.9 x 12.5mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C

Das NXH40T120L3Q1PG/SG ist ein Gehäuse-Stromversorgungsmodul mit einem 3-Kanal-T-Neutralleiterpunkt-Klemmkreis (TNPC). Jeder Kanal verfügt über zwei 1200-V-, 40-A-IGBTs mit inversen Dioden und zwei 650-V-, 25-A-IGBTs mit inversen Dioden. Das Modul enthält einen NTC-HeißleiterSchnelles Schalten von 1200-V- und 650-V-IGBTs mit niedriger VCEsat Verbesserte Effizienz gegenüber alternativen Lösungen Optionen mit Presssitzstiften und Lötstiften Größere Auswahl für den Modulmontageprozess Anwendungen DC/DC-Wandlung

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT