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onsemi IGBT-Modul, 1000 V 592 W Q2PACK Oberfläche

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NXH350N100H4Q2F2P1G

Produkt-Nr.: P-CDBYV2

Technische Daten

Anzahl an Transistoren
4
Automobilstandard
Nein
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
20 V
Gehäusegröße
Q2PACK
Höhe
12.3mm
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
1000V
Länge
93.1mm
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
592W

Produktbeschreibung

IGBT

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT