onsemi IGBT-Modul, 1000 V 592 W Q2PACK Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 4
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- Q2PACK
- Höhe
- 12.3mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1000V
- Länge
- 93.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 592W
Produktbeschreibung
IGBT
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT