onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 650 V 660 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Verlustleistung max.

660 W