onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 650 V 660 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: AFGY100T65SPD
Produkt-Nr.: P-CC2CNG
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
- Verlustleistung max.
- 660 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 660 W
Gehäusegröße = TO-247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
