onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

32.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

69nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

77A