onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Durchlassspannung (Vf)

6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

55nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Höhe

2.3mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

55A