onsemi Darlington-Transistor 1 120 V 50 A PnP HFE:400, TO-204 2-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

400

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

TO-204

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

120V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

120V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.5V

Maximale Verlustleistung (Pd)

300W