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onsemi Darlington-Transistor 1 120 V 50 A NPN HFE:400, TO-204 2-Pin

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: MJ11032G

Produkt-Nr.: P-CDD3TY

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
400
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
5V
Gehäusegröße
TO-204
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
120V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
120V
Maximale Betriebstemperatur
200°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
2.5V
Maximale Verlustleistung (Pd)
300W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 50A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 120V
Gehäusegröße = TO-204
Montageart = Durchsteckmontage
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 400
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 120V
Maximale Betriebstemperatur = 200°C
Länge = 38.86mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059042800340