onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A NPN HFE:200, TO-220 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

200

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

TO-220

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

100V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

100V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2V

Maximale Verlustleistung (Pd)

80W