onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 8 A NPN HFE:200, TO-220 3-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 200
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 100V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 100V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 80W
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 8A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 100V
Gehäusegröße = TO-220
Montageart = Durchsteckmontage
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 200
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 100V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10.28mm
Kollektor-Sperrstrom max. = 0.05mA
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059042872552