onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 5 A PnP HFE:1000, TO-220 3-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 1000
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 100V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 100V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 65W
Produktbeschreibung
Der on Semiconductor TIP127G ist ein 5 A, 100 V PNP Darlington-Bipolartransistor. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Der TIP127G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert. • Hohe Gleichstromverstärkung • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung • Monolithische Bauweise • Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand • Kompaktes Gehäuse • PNP-Polarität Lieferbare Versionen: (545-2361) 545-2361 - einfach (124-5436) 124-5436 - Rohr mit 50 Stück
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059042785302