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onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 5 A PnP HFE:1000, TO-220 3-Pin

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: TIP127G

Produkt-Nr.: P-CC73ZV

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
1000
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
5V
Gehäusegröße
TO-220
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
100V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
100V
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
2V
Maximale Verlustleistung (Pd)
65W

Produktbeschreibung

Der on Semiconductor TIP127G ist ein 5 A, 100 V PNP Darlington-Bipolartransistor. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Der TIP127G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert. • Hohe Gleichstromverstärkung • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung • Monolithische Bauweise • Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand • Kompaktes Gehäuse • PNP-Polarität Lieferbare Versionen: (545-2361) 545-2361 - einfach (124-5436) 124-5436 - Rohr mit 50 Stück

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059042785302