onsemi BUB323ZT4G SMD, NPN Digitaler Transistor 6 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin

Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 6 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Pinanzahl = 2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.29 x 9.65 x 4.83mm

Der BUB323Z ist ein planarer, monolithischer, bipolarer Hochspannungs-Darlington-Transistor mit integrierter aktiver Zenerklemmschaltung. Dieses Gerät wurde speziell für ungespannte, induktive Anwendungen wie elektronische Zündung, Schaltregler und Motorsteuerung entwickelt.Integrierte Hochspannungs-Active-Klemme Fenster für feste Spannungsspitzen (350 V bis 450 V)Garantiert über den Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C Spannkraft 100% in einem spannungsführenden Zündkreis getestet Hohe DC-Stromverstärkung/niedrige Sättigungsspannungen über dem gesamten Temperaturbereich wählbar Design garantiert jederzeit den Betrieb in SOA Bleifreie Gehäuse sind verfügbar