Nexperia NextPowerS3 Technology Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 166 W, 5-Pin LFPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.42mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

27.6nC

Gehäusegröße

LFPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

166W