Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

450

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

Modul

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Montage-Typ

PCB-Montage

Transistor-Konfiguration

Zweifach-Halbbrücke