Mitsubishi IGBT-Modul / 200 A 20V max. Dual, 600 V 1,4 kW 94 x 34 mm

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Dauer-Kollektorstrom max.

200 A

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

94 x 34 mm

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Konfiguration

Dual

Transistor-Konfiguration

Dual

Verlustleistung max.

1,4 kW