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Mitsubishi IGBT-Modul / 200 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal

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Marke: MITSUBISHI

Hersteller Artikel-Nr.: CM200DY-24T #300G

Produkt-Nr.: P-CDCHPW

Technische Daten

Anzahl an Transistoren
2
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
200
Gate-Source Spannung max.
20V
Gehäusegröße
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Montage-Typ
PCB-Montage
Transistor-Konfiguration
Zweifach-Halbbrücke

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 200
Gate-Source Spannung max. = 20V
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = PCB-Montage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke

Das Mitsubishi Electric 1200 V zweifache IGBT-Modul verfügt über einen flachen Sockel und sechs Treiber pro Modul. Er hat einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 200 A und ist für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Wechselrichter, Motorsteuerung und industrielle Antriebe geeignet.Terminal mit verzinntem Stift Verwendete Kupfergrundplatte Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT