Mitsubishi IGBT-Modul / 100 A 20V max. Dual, 600 V 775 W 94 x 34 mm
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- 94 x 34 mm
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 600 V
- Konfiguration
- Dual
- Transistor-Konfiguration
- Dual
- Verlustleistung max.
- 775 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 775 W
Gehäusegröße = 94 x 34 mm
Transistor-Konfiguration = Dual
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT