Mitsubishi IGBT-Modul / 100 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- Modul
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Dual
- Montage-Typ
- PCB-Montage
- Transistor-Konfiguration
- Zweifach-Halbbrücke
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = PCB-Montage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT