Microchip Transistor / -600 mA, -40 V 500 mW, 3-Pin TO-18 NPN-Kanal Gewindebohrung
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gehäusegröße
- TO-18
- Höhe
- 5.33mm
- Kabelkanaltyp
- NPN
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -40V
- Länge
- 19.05mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- -0.4V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 500mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- -600mA
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) = -600mA
Produkt Typ = Transistor
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) = -40V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 500mW
Gehäusegröße = TO-18
Montageart = Gewindebohrung
Kabelkanaltyp = NPN
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 300ns
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)) = -0.4V
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 5.33mm
Länge = 19.05mm
Serie = 2N2906–2N2907 <br
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
