Microchip Oberfläche Transistor NPN 80 V dc / 1 mA, Keramikgehäuse 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 7V
- Gehäusegröße
- Keramikgehäuse
- Höhe
- 1.42mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 140V dc
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 80V dc
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 1mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 200°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 100MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.5W
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. (Idc) = 1mA
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) = 80V dc
Gehäusegröße = Keramikgehäuse
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Silizium-Transistor
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO) = 140V dc
Emitter-Basisspannung max. (VEBO) = 7V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 0.5W
Maximale Übergangsfrequenz (Ft) = 100MHz
Betriebstemperatur min. = -65°C
Polarität des Transistors = NPN
Maximale Betriebstemperatur = 200°C
Pinanzahl = 3
Höhe = 1.42mm <br
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
