Microchip Gewindebohrung Transistor NPN 80 V / 1 A, AN 3-Pin

Name: Microchip Gewindebohrung Transistor NPN 80 V / 1 A, AN 3-Pin
Brand: Microchip
Price: 12.53 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: Microchip

Hersteller Artikel-Nr.: 2N3019

Produkt-Nr.: P-DJ4GCM

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -65°C
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 7V
Gehäusegröße: AN
Höhe: 6.6mm
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 140V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 80V
Kollektorstrom DC max. (Idc): 1A
Maximale Betriebstemperatur: 200°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft): 100MHz
Maximale Verlustleistung (Pd): 800mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. (Idc) = 1A
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) = 80V
Gehäusegröße = AN
Montageart = Gewindebohrung
Transistor-Konfiguration = Silizium-Transistor
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO) = 140V
Emitter-Basisspannung max. (VEBO) = 7V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 800mW
Maximale Übergangsfrequenz (Ft) = 100MHz
Betriebstemperatur min. = -65°C
Polarität des Transistors = NPN
Maximale Betriebstemperatur = 200°C
Pinanzahl = 3
Höhe = 6.6mm <br