Maxim Integrated, 6V SRAM-Steuereinheit, Schreibschutz-Steuerung, 10ns SMD, SO, 8-Pin 5 x 4 x 1.5mm

Backup Zellenspannung max. = 6V
Schreibschutz-Steuerung = Ja
Signalverzögerungszeit max. = 10ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SO
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 5 x 4 x 1.5mm
Länge = 5mm
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm
Arbeitsspannnung max. = 5,5 V
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Arbeitsspannnung min. = 4,5 V
Betriebstemperatur min. = –40 °C

Wandelt CMOS-SRAM in nichtflüchtigen Speicher um Der SRAM wird ohne Einschränkungen beschrieben, wenn VCC außerhalb der Toleranz liegt Schaltet automatisch auf Batteriepuffer-Versorgung um, wenn ein VCC-Stromausfall auftritt Überwacht die Spannung einer Lithiumzelle und warnt Advanced vor drohendem Batterieausfall Signalisiert niedrigen Batteriezustand bei aktivem Batterie-Warnsignal Optionale 5 %- oder 10 %-Stromausfallerkennung Platzsparende 8-polige DIP- und SOIC-Gehäuse Optionale 16-polige SOIC- und 20-polige TSSOP-Versionen setzen den Prozessor zurück, wenn ein Stromausfall auftritt, und halten den Prozessor während des Systemstarts im Reset Industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.