Littelfuse LSIC1MO170T0750 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 4.5 A 65 W, 7-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1700V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 750mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 3.6V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 11nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 65W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- LSIC1MO170T0750
Produktbeschreibung
Die neuen 1700V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Littelfuse mit 750 mOhm werden im TO-263-7L-Gehäuse präsentiert. Der getrennte Quellstift verringert den parasitären Quellinduktivitätsweg zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung der Effizienz in Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Betriebstemperatur der Anschlussstelle beträgt 175 °C. Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Anwendungen Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang Kapazität Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen Extrem niedriger Einschaltwiderstand Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin MSL 1-Nennwert
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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