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Littelfuse LSIC1MO170T0750 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 4.5 A 65 W, 7-Pin TO-263

Marke: LITTELFUSE

Hersteller Artikel-Nr.: LSIC1MO170T0750-TU

Produkt-Nr.: P-CC3SJF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
1700V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
750mΩ
Durchlassspannung (Vf)
3.6V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
11nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
22 V
Gehäusegröße
TO-263
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
4.5A

Produktbeschreibung

Die neuen 1700V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Littelfuse mit 750 mOhm werden im TO-263-7L-Gehäuse präsentiert. Der getrennte Quellstift verringert den parasitären Quellinduktivitätsweg zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung der Effizienz in Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Betriebstemperatur der Anschlussstelle beträgt 175 °C. Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Anwendungen Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang Kapazität Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen Extrem niedriger Einschaltwiderstand Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin MSL 1-Nennwert

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET