IXYS Linear L2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 178 A 830 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 11mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.4V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 540nC
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 178A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 178A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = SOT-227
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 11mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 830W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 9.6mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041070676