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IXYS IGBT / 95 A ±20V max. , 2500 V 937 W, 3-Pin TO-268HV

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXYT25N250CHV

Produkt-Nr.: P-CZGJMJ

Technische Daten

Abmessungen
16.05 x 5.1 x 14mm
Betriebstemperatur min.
–55 °C
Dauer-Kollektorstrom max.
95 A
Gate-Source Spannung max.
±20 V, ±30V
Gehäusegröße
TO-268HV
Kollektor-Emitter-Spannung
2500 V
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Einfach
Verlustleistung max.
937 W

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 2500 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V
Verlustleistung max. = 937 W
Gehäusegröße = TO-268HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.05 x 5.1 x 14mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

Thin wafer XPT™-Technologie Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat) Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat) Hochspannungsgehäuse in internationaler Standardgröße Höhere Effizienz Beseitigung von mehreren verbundenen Geräten Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen Impulsgeber-Stromkreise Laser- und Röntgengeneratoren Hochspannungsnetzteile Hochspannungs-Messeinrichtungen Kondensatorentladungs-Stromkreise AC-Schalter

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT
GTIN
5059041643849