IXYS IGBT / 25 A, 2500 V 937 W, 3-Pin TO-268HV Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- ±20 V
- Gehäusegröße
- TO-268HV
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 2500V
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 4V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 937W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 25A
- Montageart
- Oberfläche
Produktbeschreibung
Thin wafer XPT™-Technologie Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat) Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat) Hochspannungsgehäuse in internationaler Standardgröße Höhere Effizienz Beseitigung von mehreren verbundenen Geräten Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen Impulsgeber-Stromkreise Laser- und Röntgengeneratoren Hochspannungsnetzteile Hochspannungs-Messeinrichtungen Kondensatorentladungs-Stromkreise AC-Schalter
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059041643849