IXYS IGBT / 100 A ±20V max. , 600 V 695 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 20.3 x 5.3 x 26.6mm
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-264
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 600 V
- Montage-Typ
- THT
- Nennleistung
- 600mJ
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 20 → 60kHz
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 695 W
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 20 → 60kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 20.3 x 5.3 x 26.6mm
Nennleistung = 600mJ
IGBTs, diskret, IXYS
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059041579605
