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IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN36N100

Produkt-Nr.: P-CCZ3S3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
1kV
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
240mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
380nC
Gehäusegröße
SOT-227
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
36A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 36A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 1kV
Gehäusegröße = SOT-227
Montageart = Panel
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 240mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 700W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 9.6mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041195195