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IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN80N50P

Produkt-Nr.: P-CCZP25

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
500V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
65mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
195nC
Gehäusegröße
SOT-227
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
66A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 66A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 500V
Gehäusegröße = SOT-227
Montageart = Panel
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 65mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 700W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 9.6mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041204767