IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 18mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.5V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 240nC
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 115A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 115A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = SOT-227
Montageart = Panel
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 18mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 680W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 9.6mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045925392