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IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN140N20P

Produkt-Nr.: P-CCZNN5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
18mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
240nC
Gehäusegröße
SOT-227
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
115A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 115A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = SOT-227
Montageart = Panel
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 18mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 680W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 9.6mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045925392