Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 119 A 107 W, 3-Pin PG-TO263-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.35mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

24nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

119A