Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 80 V / 127 A 125 W, 9-Pin PG-WHTFN-9

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.15mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

33nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

127A