Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 80 V / 127 A 125 W, 9-Pin PG-TTFN-9
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.15mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 33nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PG-TTFN-9
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 127A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 127A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PG-TTFN-9
Montageart = SMD
Pinanzahl = 9
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.15mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 33nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 3.4mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET