Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 83 W, 8-Pin Band und Rolle
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.95V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 29nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- Band und Rolle
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 60A
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = N-Kanal
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = Band und Rolle
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 83W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 1.1mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET