Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 199 A 94 W, 8-Pin Band und Rolle

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.25mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.95V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

42nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

199A