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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 117 A 65 W, 8-Pin Band und Rolle

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IAUZN04S7L025ATMA1

Produkt-Nr.: P-DJ25MW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
2.56mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.95V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
23nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
30V
Gehäusegröße
Band und Rolle
Kabelkanaltyp
N-Kanal
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
117A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 117A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = Band und Rolle
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.56mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 65W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 2.29mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET